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19-5633; Rev 11/10
DS1249W
3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
FEATURES
PIN ASSIGNMENT
?
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?
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Unlimited write cycles
Low-power CMOS operation
Read and write access times of 100ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
Optional industrial (IND) temperature range
of -40 ° C to +85 ° C
JEDEC standard 32-pin DIP package
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32-Pin Encapsulated Package
740mil Extended
PIN DESCRIPTION
A0–A17
DQ0–DQ7
CE
W E
OE
V CC
GND
NC
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+3.3V)
- Ground
- No Connect
DESCRIPTION
The DS1249W 2048kb nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, NV SRAMs organized as
262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry
that constantly monitors V CC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium
energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent
data corruption. There is no limit on the number of write cycles that can be executed, and no additional
support circuitry is required for microprocessor interfacing.
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